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  • MOSFET基础

    大?。?M 更新时间:2019-12-11 下载积分:2分 上传用户:gurong60

    MOSFET基础 对mosfet基础知识进行详细阐述

    mosfet

  • CMOS集成电路中的ESD?;?,中文资料

    大?。?M 更新时间:2019-12-09 下载积分:5分 上传用户:yati_mxh

    ESD (Electrostatic Discharge) Protection in CMOS Integrated Circuits中文资料

    ESDCMOS

  • 用于物联网的带滤波CMOS低功耗欠采样器设计

    大?。?M 更新时间:2019-12-08 下载积分:1分 上传用户:xiaohei1810

    为了解决物联网无线通信中成本和功耗的问题,设计了一种带滤波功能的互补金属氧化物半导体低功耗欠采样器.基于欠采样原理利用高采样比时钟信号完成无源欠采样变频,并利用采样开关和电容级联巴伦低噪声放大器输出并联...

    物联网cmos无线通信

  • MOSFET和IGBT区别

    大?。?M 更新时间:2019-12-07 下载积分:0分 上传用户:xuzhen1

    MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同.1, 由于MOSFET的结构, 通常它可以做到电流很大, 可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT 可以做很大功率, 电流和电压都可以, 就是一点频率不是太高, 目前...

    mosfetigbt

  • CMOS集成电路版图TannerL-Edit设计入门

    大?。?M 更新时间:2019-12-07 下载积分:0分 上传用户:sun2152

    Tanner版图流程举例(反相器)集成电路设计近年来发展相当迅速,许多设计需要借助计算机辅助设计软件。作为将来从事集成电路设计的工作人员,至少需要对版图有所了解,但是许多软件(如cadence)实在工作站上执行的...

    cmos

  • 2SK360硅N沟道MOSFET的数据手册

    大?。?7K 更新时间:2019-12-04 下载积分:2分 上传用户:梦留香

    本文档的主要内容详细介绍的是2SK360硅N沟道MOSFET的数据手册免费下载。

    mosfet

  • 怎样判断IGBT、MOS管的好坏

    大?。?0K 更新时间:2019-11-30 下载积分:0分 上传用户:xuzhen1

    怎样判断IGBT MOS管的好坏?怎么检测它的引脚?IGBT1、判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ 挡,用万用表测量时, 若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大, 则判断此极为栅极(G ...

    igbtmos管

  • MOSFET与IGBT的应用区别

    大?。?0K 更新时间:2019-11-30 下载积分:0分 上传用户:xuzhen1

    POWER MOSFET 优点是高频特性十分优秀(MOSFET 可以工作到几百KHZ, 上MHZ, 以至几十MHZ, 射频领域的产品) ,驱动简单(电压型驱动),抗击穿性妤(没有雪崩效应)POWER MOSFET 的弱点是高耐压化后之功率损失激增。缺点...

    mosfetigbt

  • 基于0.18μmCMOS工艺的低静态电流LDO设计

    大?。?M 更新时间:2019-11-29 下载积分:0分 上传用户:sun2152

    电子设备最基本的功能是电源管理功能,稳定的供电是电子设备稳定工作的必备条件。得益于集成电路技术的快速发展,使得当今的电子产品,如手机、平板电脑等向更加便携、功耗更低的方向发展。这些进步也都在对电源管理...

    CMOSLDO

  • 硕士论文 基于0.18μm cmos工艺低静态电流ldo设计

    大?。?M 更新时间:2019-11-29 下载积分:0分 上传用户:sun2152

    本文基于0.18um CMOS工艺设计了一款典型的低压差线性稳压器,其中输出电压稳定在3.3v,输入电压范围在3.3V-4.2V;具有极低的静态电流;加之较好的电源抑制比和良好的噪声性能使得该低压差线性稳压器适于应用在电源质...

    cmos工艺低静态电流ldo

  • 基于65nm CMOS工艺快速瞬态响应LDO的设计与实现

    大?。?M 更新时间:2019-11-26 下载积分:0分 上传用户:sun2152

    本文设计的具有快速响应特性的LDO是基于分布式LDO的PDN可靠性研究国家部委项目背景。分析了LDO电路的基本结构和工作原理,设计了一个具有快速响应特性的LDO电路,包括电压基准电路、误差放大器电路、缓冲器瞬态增强...

    cmosldo

  • AO4292E N沟道MOSFET的数据手册

    大?。?95K 更新时间:2019-11-25 下载积分:2分 上传用户:梦留香

    本文档的主要内容详细介绍的是AO4292E N沟道MOSFET的数据手册免费下载?! ∫话闼得鳌 ?沟道功率MV MOSFET技术100V  ?低RDS(开)  ?低栅极电荷  ?针对快速交换应用优化  ?ESD?;ぁ ?符合RoHS和无...

    mosfet

  • 低压差(LDO)CMOS线性电压变换器的研究

    大?。?1M 更新时间:2019-11-25 下载积分:0分 上传用户:sun2152

    本文基于0.6um的CMOS工艺,设计了一种LDO线性电压变换器。其输入电压范围为4V-7V,输出电压为3.3V,可以作为对纹波或噪声敏感的后级电路(如CPU,DSP等)的供电电源。在典型负载电流下(600mA)下,输入输出压差为65...

    ldocmos线性电压变换器

  • cmos全集成ldo线性稳压器的设计

    大?。?1M 更新时间:2019-11-25 下载积分:0分 上传用户:sun2152

    由于半导体终端产品朝着整合多功能、数字化和轻薄短小三大趋势飞速发展,又由于便携式电子产品如手机、MP3/4、掌上电脑、个人数字助理(PDA)、笔记本电脑等设备的迅速普及,导致具有快速响应、高功率密度的低成本单...

    cmosldo线性稳压器

  • 基于0.18μm标准CMOS工艺的ARM内核实现研究

    大?。?M 更新时间:2019-11-23 下载积分:2分 上传用户:杨义

    文档为基于0.18μm标准CMOS工艺的ARM内核实现研究总结文档,是一份不错的参考资料,感兴趣的可以下载看看,,,,,,,,,,,,

    cmos工艺arm

  • 应用于CMOS图像传感器中高PSR LDO的研究

    大?。?3M 更新时间:2019-11-23 下载积分:0分 上传用户:sun2152

    基于CMOS图像传感器芯片中对噪声敏感电路的供电需求,设计了一款高电源噪声抑制(PSR)无片外电容型LDO电路。首先由于电源噪声会通过基准电压源再传导至LDO的输出端,在设计的带隙基准电路中引入了减法器电路,以此...

    cmos图像传感器LDO

  • CMOS低压降线性稳压器(LDO)的稳定性及频率补偿技术

    大?。?6M 更新时间:2019-11-22 下载积分:0分 上传用户:sun2152

    本文重点研究了LDO线性稳压器的系统稳定性问题及其频率补偿方法。在此基础上设计了一款响应速度快,稳定性好的LDO电路并进行了仿真。论文在全面深入剖析了LDO线性稳压器产生系统不稳定的各种因素后,着重讨论了五种...

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